| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRF737LCL |
Vishay Siliconix | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IRF737LCPBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF737LCS | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF737LCSTRL | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF737LC | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IRF7379TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8813 | HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
| IRF7379TR | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
