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SIHG20N50C-E3

Vishay Siliconix TO-247-3 828
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简述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

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SIHG20N50C-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2942pF @ 25V
功率 - 最大值:292W
安装类型:通孔

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