| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIHB22N60E-E3 |
Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 13 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 参考包装数量：1000 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1993 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1865 | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 43 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 992 | MOSFET N CH 600V 15A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 990 | MOSFET N CH 600V 12A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIGN17X22S | 3M | SIGN ESD CONTROL AREA 17"X22' | ... |
