| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIGN17X22S |
3M | 询价QQ： |
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| 简述：SIGN ESD CONTROL AREA 17"X22' 参考包装数量：5 参考包装形式：每包 5 个 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 990 | MOSFET N CH 600V 12A TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 992 | MOSFET N CH 600V 15A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 13 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 2x5 | MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SIF902EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 2x5 | MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SIE882DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
