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SIHB22N60E-GE3

Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1993
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简述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SIHB22N60E-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1920pF @ 100V
功率 - 最大值:227W
安装类型:表面贴装

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