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SIA950DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 6155
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简述:MOSFET N-CH D-S 190V SC-70-6
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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SIA950DJ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):190V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:950mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:90pF @ 100V
功率 - 最大:7W
安装类型:表面贴装

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