| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIA923EDJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 394 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIA950DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 6155 | MOSFET N-CH D-S 190V SC-70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SIA975DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SIAERO+-EVB | Silicon Laboratories Inc | BOARD EVAL FOR AERO+ | ... | ||
| SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 6000 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
