| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7540DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 12000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI7540DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI7601DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI7601DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SI7530DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI7530DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 8476 | MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI7501DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6000 | MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
