收藏本站

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹瀹勬噴褰掑炊瑜忛弳锕傛煕椤垵浜濋柛娆忕箻閺岀喖骞嗛弶鍟冩捇鏌嶉柨瀣拻闁逞屽墮缁犲秹宕曢柆宓ュ洭顢涢悙鎻掔€梺绋挎湰閸╁啴寮ㄦ禒瀣厱閻忕偛澧藉銊╂煕閿旇骞橀柣婊呯帛娣囧﹪濡堕崟顓炲闂佸憡鐟ョ换鎴炵┍婵犲洦鍊峰Λ鐗堢箓濞堫厽绻涚€涙ḿ鐭掔紒鐘崇墪椤繘鎼圭憴鍕彴闂佺偨鍎村▍鏇㈡倶閺囩喓绡€婵炲牆鐏濋弸鏃堟煕婵犲啰绠為柣娑卞枦缁犳稑鈽夊Ο铏圭崺闂備礁鎼ˇ浼村垂瑜版崵鍥Ω閵夘喗瀵岄梺闈涚墕閹虫劗绮绘导瀛樼厵闁告劕妯婂Ο鈧悗娈垮枟閹倸顕i鈧畷濂告偄閸欏顏烘繝鐢靛仩閹活亞寰婇崸妤€绠犻柟鐐た閺佸绻濇繝鍌滃闁绘挻娲熼弻鐔兼焽閿曗偓婢у鏌i幘鍐叉倯妞ゃ劊鍎甸幃娆撴嚑椤掑偆鍟嬮梻浣芥〃閻掞箓骞戦崶顒€鏋侀柟鍓х帛閺呮悂鏌ㄩ悤鍌涘0755-83217923 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾瑰瀣捣閻棗銆掑锝呬壕濡ょ姷鍋涢ˇ鐢稿极瀹ュ绀嬫い鎰╁灮娴滀即鏌f惔鈥冲辅闁稿鎹囬弻娑㈠即閵娿儰绨婚梺缁樼箖閿氭い顏勫暣婵″爼宕卞Δ鍐噯闂佽瀛╅崙褰掑礈閻旈鏆︾憸鐗堝笒绾惧吋绻涢幋鐐寸殤闁伙箑鐗婄换婵嬫偨闂堟刀銏ゆ煕婵犲嫮甯涢柡鍛埣瀵挳鎮╅崹顐础婵$偑鍊栭幐鑽ょ矙閹寸偟顩插Δ锝呭暞閳锋帡鏌涚仦鍓ф噮闁告柨绉归弻娑欐償閳ヨ櫕姣愰梻鍥ь槹閹便劌螣閹稿海銆愮紒鐐劤椤兘寮诲☉妯锋婵炲棙锚婵′即姊洪幖鐐插姶濞存粏娉涘嵄濠电姵纰嶉埛鎺楁煕閵夋垵鏈晥缂傚倷鑳剁划顖滄崲閸℃蛋鍥蓟閵夛妇鍘介棅顐㈡处濮婅崵绮婚悙鐑樼厱闁宠鍎虫禍鐐繆閻愵亜鈧牜鏁繝鍥ㄥ殑閻犲搫銈藉ú顏勭妞ゆ梻鏅崢闈涱渻閵堝棛澧柤褰掔畺瀵娊鏁愭径瀣幐婵炶揪缍€椤鐣峰畝鍕厸濞达綀顫夊畷宀勬煛娴h宕岄柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI7601DN-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7601DN-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
询价QQ:闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾瑰瀣捣閻棗銆掑锝呬壕濡ょ姷鍋涢ˇ鐢稿极瀹ュ绀嬫い鎰╁灮娴滀即鏌f惔鈥冲辅闁稿鎹囬弻娑㈠即閵娿儰绨婚梺缁樼箖閿氭い顏勫暣婵″爼宕卞Δ鍐噯闂佽瀛╅崙褰掑礈閻旈鏆︾憸鐗堝笒绾惧吋绻涢幋鐐寸殤闁伙箑鐗婄换婵嬫偨闂堟刀銏ゆ煕婵犲嫮甯涢柡鍛埣瀵挳鎮╅崹顐础婵$偑鍊栭幐鑽ょ矙閹寸偟顩插Δ锝呭暞閳锋帡鏌涚仦鍓ф噮闁告柨绉归弻娑欐償閳ヨ櫕姣愰梻鍥ь槹閹便劌螣閹稿海銆愮紒鐐劤椤兘寮诲☉妯锋婵炲棙锚婵′即姊洪幖鐐插姶濞存粏娉涘嵄濠电姵纰嶉埛鎺楁煕閵夋垵鏈晥缂傚倷鑳剁划顖滄崲閸℃蛋鍥蓟閵夛妇鍘介棅顐㈡处濮婅崵绮婚悙鐑樼厱闁宠鍎虫禍鐐繆閻愵亜鈧牜鏁繝鍥ㄥ殑閻犲搫銈藉ú顏勭妞ゆ梻鏅崢闈涱渻閵堝棛澧柤褰掔畺瀵娊鏁愭径瀣幐婵炶揪缍€椤鐣峰畝鍕厸濞达綀顫夊畷宀勬煛娴h宕岄柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
简述:MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7601DN-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 12000 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 6000 MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 3000 MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 12000 MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI7530DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

SI7601DN-T1-E3参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):19.2 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1870pF @ 10V
功率 - 最大值:52W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别