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SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 24000
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简述:MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI6925ADQ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 3.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

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