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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI6925ADQ-T1-E3
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SI6925ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与SI6925ADQ-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI6925ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 24000 MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 15000 MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 5820 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL ESD 28V 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI6925ADQ-T1-E3参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 3.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装

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