收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI5858DU-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5858DU-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5858DU-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 30V CHIPFET 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 30V 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 6000 MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI5857DU-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

SI5858DU-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 10V
功率 - 最大值:8.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别