| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI5853CDC-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SI5853DDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SI5855CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：2... | |
| SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | 42000 | MOSFET N/PCH D-S 20V PPAK CHIPFT | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI5517DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
