| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI3905DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SI3909DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI3909DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI3911DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 6000 | MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI3905DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI3900DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI3900DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 3000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
