收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI3900DV-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI3900DV-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI3900DV-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI3905DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI3909DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 3000 MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI3879DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

SI3900DV-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:830mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别