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SI2303BDS-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9957
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简述:MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2303BDS-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.49A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:200 毫欧 @ 1.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:180pF @ 15V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

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