| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI2303CDS-T1-E3 |
Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13385 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2735 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SI2303BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SI2303BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9957 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 | FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 漏极至... |
| SI2303BDS-T1 | Vishay Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
