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SI2302DS,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 5746
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简述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
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与SI2302DS,215相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI2302-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000+9000 MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2303BDS-T1 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2303BDS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9957 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 497 MOSFET N-CH 20V SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI2302ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI2302DS,215参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):650mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):230pF @ 10V
功率 - 最大值:830mW
安装类型:表面贴装

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