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SI2302CDS-T1-E3

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 497
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简述:MOSFET N-CH 20V SOT-23
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与SI2302CDS-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2302DS,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 5746 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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SI2302CDS-T1-E3参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装

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