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SI2302ADS-T1

Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI2302ADS-T1参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装

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