型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI2302ADS-T1 |
Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V SOT23-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 497 | MOSFET N-CH 20V SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2301-TP | Micro Commercial Co | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 18000 | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 78000 | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |