| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SGW23N60UFDTM |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT W/DIODE 600V 12A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SGW25N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| SGW30N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 41A 250W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW30N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 41A 250W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW15N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... |
