| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SGW15N60 |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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| 简述：IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3 参考包装数量：240 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SGW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | |
| SGW23N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 12A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| SGW15N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 1200V 30A 198W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| SGW13N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 6.5A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| SGW10N60RUFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 10A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
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