收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > QS6U22TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

QS6U22TR

Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
参考包装数量:1
参考包装形式:

与QS6U22TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
QS6U24TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 10974 MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
QS8J1TR Rohm Semiconductor TSMT8 3000 MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
QS8K51TR Rohm Semiconductor 6000 MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 ...
QS6M4TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 24000 MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS6M3TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 81000 MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
QS6K21TR Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 15000 MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

QS6U22TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):215 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别