| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PMWD20XN,118 |
NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMWD30UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMZ1000UN,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | MOSFET N-CH SOT883 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
