收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > PMWD16UN,518
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PMWD16UN,518

NXP Semiconductors 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMWD16UN,518相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMWD19UN,518 NXP Semiconductors 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PMWD20XN,118 NXP Semiconductors 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PMWD26UN,518 NXP Semiconductors 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PMWD15UN,518 NXP Semiconductors 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PMV90EN,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 2.1A SOT-23 ...
PMV65XP,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 57829 MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PMWD16UN,518参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:19 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1366pF @ 16V
功率 - 最大:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别