| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NILMS4501NR2 |
ON Semiconductor | 4-DFN | 询价QQ： |
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| 简述：IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-LLP 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NILMS4501NR2G | ON Semiconductor | 4-DFN | IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-LLP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：电流感测 漏源极... | |
| NIMD6001ANR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | IC MOSFET DVR 60V 3.3A 8SOIC | 类型：低端 输入类型：反相 输出数：2 导通状态电阻：60 毫欧 电流 - 输出... | |
| NIOS-DEVKIT-1S10 | Altera | DEVELOPMENT KIT SOCP | ... | ||
| NIF9N05CLT3G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 0+8000 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 2000 | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
