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NIF9N05CLT1G

ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 2000
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简述:MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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NIF9N05CLT1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):59V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 2.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 35V
功率 - 最大值:1.69W
安装类型:表面贴装

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