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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NIF9N05CLT3
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NIF9N05CLT3

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询价QQ:闁告粌鏈崹婊堝础閾忣偅顦уù婧垮€涢惃锟�
简述:MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NIF9N05CLT3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NIF9N05CLT3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):52V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 2.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 35V
功率 - 最大值:1.69W
安装类型:表面贴装

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