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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > MMBV809LT3G
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MMBV809LT3G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE TUNING SS 20V SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBZ10VAL,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 DIODE ESD PROT DBL 6.5V SOT23 电压 - 反向关态(典型值):6.5V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W):...
MMBZ10VAL-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TVS 6.5V 24W CA UNI-DIR SOT23-3 电压 - 反向关态(典型值):6.5V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W):...
MMBZ10VAL-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 39000 TVS 24W 6.5V CA UNIDIR SOT23-3 电压 - 反向关态(典型值):6.5V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W):...
MMBV809LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV809LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV609LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:32pF @ 3V,1MHz 电容比:2.4 电容比条件:C...

MMBV809LT3G参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz
电容比:2.6
电容比条件:C2/C8
电压 - 峰值反向(最大):20V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:75 @ 3V,500MHz
安装类型:表面贴装

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