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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > MMBV609LT1G
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MMBV609LT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE TUNING SS 20V SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBV609LT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBV809LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV809LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV809LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT-23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV609LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:32pF @ 3V,1MHz 电容比:2.4 电容比条件:C...
MMBV432LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 14V SOT23 电容@ Vr, F:48.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2 电容比条件:C...
MMBV432LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 14V SOT23 电容@ Vr, F:48.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2 电容比条件:C...

MMBV609LT1G参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:32pF @ 3V,1MHz
电容比:2.4
电容比条件:C3/C8
电压 - 峰值反向(最大):20V
二极管类型:1 对共阴极
在 Vr、F 时的 Q 值:450 @ 3V,50MHz
安装类型:表面贴装

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