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MMBZ10VAL,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000
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简述:DIODE ESD PROT DBL 6.5V SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBZ10VAL,215相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBZ10VAL-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TVS 6.5V 24W CA UNI-DIR SOT23-3 电压 - 反向关态(典型值):6.5V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W):...
MMBZ10VAL-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 39000 TVS 24W 6.5V CA UNIDIR SOT23-3 电压 - 反向关态(典型值):6.5V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W):...
MMBZ12VAL,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 DIODE ESD PROT DBL 8.5V SOT-23 电压 - 反向关态(典型值):8.5V 电压 - 击穿:11.4V 功率 (W)...
MMBV809LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT-23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV809LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...
MMBV809LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 20V SOT23 电容@ Vr, F:6.1pF @ 2V,1MHz 电容比:2.6 电容比条件:...

MMBZ10VAL,215参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):6.5V
电压 - 击穿:9.5V
功率 (W):24W
极化:2 通道阵列 - 单向
安装类型:表面贴装

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