收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTY08N100P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTY08N100P

IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IXTY08N100P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTY08N120P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY08N50D2 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTY10P15T IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY08N100D2 IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1919 MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTY06N120P IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTY02N50D IXYS TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 379 MOSFET N-CH 500V 200MA DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...

IXTY08N100P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):800mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):240pF @ 25V
功率 - 最大值:42W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别