收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTT02N450HV
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTT02N450HV

IXYS *
询价QQ:
简述:MOSF N CH 4500V 1500MA TO263
参考包装数量:30
参考包装形式:*

与IXTT02N450HV相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTT100N25P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT10N100D IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTT10P50 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR90P20P IXYS ISOPLUS247? 28 MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR90P10P IXYS ISOPLUS247? 140 MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR62N15P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH ISOPLUS-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTT02N450HV参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):4500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1500mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 欧姆 @ 10mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):256pF @ 25V
功率 - 最大值:113W
安装类型:*

最近更新

型号类别