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IXTT10N100D

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
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简述:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

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IXTT10N100D参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 25V
功率 - 最大值:400W
安装类型:表面贴装

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