收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTR90P10P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTR90P10P

IXYS ISOPLUS247? 140
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXTR90P10P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTR90P20P IXYS ISOPLUS247? 28 MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT02N450HV IXYS * MOSF N CH 4500V 1500MA TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTT100N25P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR62N15P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH ISOPLUS-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR48P20P IXYS ISOPLUS247? 185 MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTR40P50P IXYS ISOPLUS247? MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTR90P10P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):57A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5800pF @ 25V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别