收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTP1R6N50D2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTP1R6N50D2

IXYS TO-220-3 15
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTP1R6N50D2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTP1R6N50P IXYS TO-220-3 1523 MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP200N055T2 IXYS TO-220-3 363 MOSFET N-CH 55V 200A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP200N075T IXYS TO-220-3 506 MOSFET N-CH 75V 200A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP1R6N100D2 IXYS TO-220-3 99 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
IXTP1R4N60P IXYS TO-220-3 2841 MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTP1R4N120P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTP1R6N50D2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 欧姆 @ 800mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):645pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别