| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXTP1R4N60P |
IXYS | TO-220-3 | 2841 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 参考包装数量：75 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXTP1R6N100D2 | IXYS | TO-220-3 | 99 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| IXTP1R6N50D2 | IXYS | TO-220-3 | 15 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| IXTP1R6N50P | IXYS | TO-220-3 | 1523 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXTP1R4N120P | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTP1R4N100P | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTP1N80P | IXYS | TO-220-3 | MOSFET N-CH 800V 1A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
