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IXTP1R6N100D2

IXYS TO-220-3 99
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简述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXTP1R6N100D2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 800mA,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):645pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

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