| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXTA02N250 |
IXYS | * | 询价QQ： |
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| 简述：MOSF N CH 2500V 900MA TO263 参考包装数量：50 参考包装形式：* |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXTA02N450HV | IXYS | * | MOSF N CH 4500V 1500MA TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTA05N100 | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 300 | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXTA06N120P | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 40 | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | 8-SOIC | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXT-1-1N100S1 | IXYS | 8-SOIC | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXSX80N60B | IXYS | TO-247-3 | IGBT 600V 80A SCSOA PLUS 247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
