收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXSX80N60B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXSX80N60B

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:IGBT 600V 80A SCSOA PLUS 247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXSX80N60B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXT-1-1N100S1 IXYS 8-SOIC MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXT-1-1N100S1-TR IXYS 8-SOIC MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA02N250 IXYS * MOSF N CH 2500V 900MA TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXSX50N60BU1 IXYS TO-247-3 IGBT 75A 600V PLUS247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
IXSX50N60BD1 IXYS TO-247-3 IGBT 75A 600V PLUS247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
IXSX50N60AU1 IXYS TO-247-3 IGBT 75A 600V PLUS247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

IXSX80N60B参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,80A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):160A
功率 - 最大:500W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别