| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IXT-1-1N100S1 |
IXYS | 8-SOIC | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 参考包装数量：94 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | 8-SOIC | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTA02N250 | IXYS | * | MOSF N CH 2500V 900MA TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTA02N450HV | IXYS | * | MOSF N CH 4500V 1500MA TO263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXSX80N60B | IXYS | TO-247-3 | IGBT 600V 80A SCSOA PLUS 247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| IXSX50N60BU1 | IXYS | TO-247-3 | IGBT 75A 600V PLUS247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| IXSX50N60BD1 | IXYS | TO-247-3 | IGBT 75A 600V PLUS247 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
