收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFR180N06
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFR180N06

IXYS ISOPLUS247?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFR180N06相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFR180N07 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N085 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N10 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR16N80P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR16N120P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR15N80Q IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFR180N06参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):420nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7650pF @ 25V
功率 - 最大值:560W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别