收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFR16N120P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFR16N120P

IXYS ISOPLUS247?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFR16N120P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFR16N80P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N06 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N07 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR15N80Q IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR15N100Q3 IXYS TO-247-3 89 MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR15N100P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFR16N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.04 欧姆 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别