收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFR180N10
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFR180N10

IXYS ISOPLUS247?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFR180N10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFR180N15P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR18N90P IXYS ISOPLUS247? 436 MOSFET NCH 900V 10.5A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR200N10P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N085 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N07 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR180N06 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFR180N10参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):165A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):400nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9400pF @ 25V
功率 - 最大值:400W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别