收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLD110
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLD110

Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
参考包装数量:2500
参考包装形式:管件

与IRLD110相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLD110PBF Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 3822 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD120 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD120PBF Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 7424 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD024PBF Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 6556 MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD024 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD014PBF Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 5373 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLD110参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 600mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别