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IRLD014PBF

Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 5373
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简述:MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
参考包装数量:2500
参考包装形式:管件

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IRLD014PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 1A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:通孔

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