型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRLD120 |
Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP 参考包装数量:2500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IRLD120PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 7424 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IRLH5030TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVQFN | 800 | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IRLH5030TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVQFN | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IRLD110PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 3822 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IRLD110 | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IRLD024PBF | Vishay Siliconix | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 6556 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |