收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLBD59N04ETRLP
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLBD59N04ETRLP

International Rectifier TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRLBD59N04ETRLP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLD014 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD014PBF Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) 5373 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLD024 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLBA3803P International Rectifier Super-220?-3(直引线) MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLBA3803 Vishay Siliconix Super-220? MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLBA1304PPBF International Rectifier Super-220?-3(直引线) MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLBD59N04ETRLP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):59A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2190pF @ 25V
功率 - 最大值:130W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别