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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFB9N30A
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IRFB9N30A

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简述:MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFB9N30A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFB9N30APBF Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB9N60A Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB9N60APBF Vishay Siliconix TO-220-3 1985 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB812PBF International Rectifier TO-220-3 505 MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB7446PBF International Rectifier TO-220-3 420 MOSFET N CH 40V TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB7440PBF International Rectifier TO-220-3 608 MOSFET N CH 40V 120A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRFB9N30A参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 25V
功率 - 最大值:96W
安装类型:通孔

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