收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRFB7440PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRFB7440PBF

International Rectifier TO-220-3 608
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 40V 120A TO220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IRFB7440PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRFB7446PBF International Rectifier TO-220-3 420 MOSFET N CH 40V TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB812PBF International Rectifier TO-220-3 505 MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB9N30A Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB7437PBF International Rectifier TO-220-3 350 MOSFET N CH 40V 195A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB7434PBF International Rectifier TO-220-3 195 MOSFET N CH 40V 195A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IRFB7430PBF International Rectifier TO-220-3 53 MOSFET N CH 40V 195A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRFB7440PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µ A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4730pF @ 25V
功率 - 最大值:208W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别